Memoriile 3D XPoint, ce vor inlocui memoriile NAND, au intrat in productie
1/16935
calendar_month 29 Iul 2015, 12:56
O noua categorie de memorii non-volatile a intrat in productie si promite evolutii semnificative - 3D XPoint, tehnologie propusa de catre Intel si Micron. Schimbarea de generatie se intampla dupa 25 de ani in care memoriile flash de tip NAND au dominat piata.
Noua tehnologie 3D XPoint este de pana la 1.000 de ori mai rapida si are o durabilitate de pana la 1.000 de ori mai mare comparativ cu tehnologia NAND, fiind in acelasi timp de 10 ori mai densa fata de memoriile conventionale, se arata intr-un comnunicat de presa.

Odata cu dezvoltarea rapida a lumii digitale - de la 4,4 zetabiti de date digitale create in 2013 la 44 zetabiti estimati pana in 2020 - tehnologia 3D XPoint poate transforma aceasta cantitate imensa de date in informatii valoroase in nanosecunde. De exemplu, retailerii pot folosi tehnologia 3D XPoint pentru a identifica mai rapid modele de fraudare in tranzactiile financiare, cercetatorii din domeniul medical ar putea prelucra si analiza seturi mari de date in timp real, accelera sarcini complexe, cum ar fi analiza genetica si de urmarire a bolilor.
Beneficiile de performanta ale tehnologiei 3D XPoint ar putea spori, de asemenea, experienta de computing, permitand utilizatorilor sa se bucure de interactiuni mai rapide pe canalele de social media, precum si experiente de joc mai captivante (gaming 8K). Natura non-volatila a tehnologiei o face de asemenea o alegere foarte buna pentru o varietate de aplicatii de stocare cu latenta scazuta, deoarece datele nu sunt sterse atunci cand aparatul este oprit.
"Timp de decenii, industria a cautat modalitati pentru a reduce intervalul de timp intre procesor si date pentru a permite analiza mai rapida. Aceasta noua memorie non-volatila atinge acest obiectiv si aduce o performanta superioara in industria memoriilor si a solutiilor de stocare", a spus Rob Crooke, Vicepresedinte Senior si General Manager al Intel Non-Volatile Memory Solutions Group.