Samsung a inceput productia pentru cip-urile de memorie LPDDR3 pe 20nm

de Redactia Hit | 30 aprilie 2013

Samsung a anuntat astazi demararea productiei pentru un nou tip de memorii pentru dispozitivele mobile. Producatorul sud-coreean a anuntat debutul memoriilor ultra rapide de 4GB LPDDR3 cu proces de fabricatie pe 20 nm.

Potrivit Samsung, memoria mobila prezentata astazi tinde sa egaleze performantele oferite de DRAM-ul folosit pe PC-uri, ceea ce reprezinta un pas extrem de important in evolutia device-urilor mobile, de la smartphone-uri si pana la tablete.

Mai exact, spun cei de la Samsung, noul cip de memorie poate transmite data de pana la 2133 Mps per pin, iar asta inseamna aproape o triplare a performantelor oferite de LPDDR2.

Noul cip de memorie aduce, practic, o imbunatatire a performantelor cu 30% si consuma cu 20% mai putina energie decat generatia anterioara (30nm, anuntata in septembrie anul trecut)

Compania a anuntat ca va mari productia de cip-uri din aceasta clasa spre sfarsitul anului.

Surse: XBitLabs, ZDNet

Recomanda   afisari

spacer
spacer
Articole similare
Citeste despre: lpddr3 20nm samsung cip memorie mobila samsung cip memorie samsung lpddr2
spacer
Opiniile cititorilor
spacer

Recomanda pe Google