Samsung a inceput productia de masa a primelor memorii flash 3D V-NAND

de Radu Eftimie | 6 august 2013

Samsung anunta in aprilie ca a demarat productia de serie pentru noua generatie de memorii flash NAND de inalta performanta si care ofera 128 GB capacitate de stocare. La mai putin de patru luni de la aceasta stire, iata ca sud-coreeni revin cu un nou anunt: compania a inceput productia de masa pentru primele memorii flash NAND pe tehnologie 3D - V-NAND.

Noul V-NAND ofera o densitate de 128Gb per chip, combinand doua tehnologii proprietare Samsung cu arhitectura 3D si oferind dublarea scalarii de 20nm de care este capabila actuala tehnologie NAND flash.

Folosind structura 3D in noile chip-uri de memorie Samsung a facut un pas important in design-ul acestor componente. Mai exact, daca in vechile arhitecturi celulele de memorie erau asezate pe un tipar plan, acum tehnologia tridimensionala permite realizarea uni tipar vertical (3D), mai redus ca dimensiuni si mai eficient din punct de vedere al performantelor si fiabilitatii.

Noile chip-uri V-NAND vor fi folosite in device-uri diverse ca solutii de stocare, dar si in urmatorea generatie de SSD-uri.

Capacitatea maxima oferita de noua tehnologie este de 128GB, iar Samsung vorbeste despre dublarea vitezei de scriere de scriere fata de clasa de produse NAND (plane) pe 10nm si care era prezentata, in urma cu 9 luni, ca fiin de 400 Mbps.

Reamintim totusi ca primele companii care au reusit sa impacheteze 128GB intr-un chip de dimensiuni reduse (cat o moneda) sunt SanDisck Si Toshiba, iar tehnologia era anuntata in 2012. Viteza de transfer era, insa, mult mai mica in raport cu capabilitatile prezentate acum de Samsung.

Sursa: Electronista

Recomanda   afisari

spacer
spacer
Articole similare
Citeste despre: samsung memorii v nand 3D V NAND memori nand ssd
spacer
Opiniile cititorilor
spacer

Recomanda pe Google