Intel si Micron introduc tehnologia NAND pe 25 nanometri

de Alex Hanea | 2 februarie 2010

Intel si Micron Technology au anuntat astazi prima tehnologie NAND pe 25 nanometri (nm) din lume, care asigura o solutie eficienta de a creste capacitatea de stocare a unor gadget-uri de succes, precum smartphone-uri, playere media si noua clasa de inalta performanta de solid-state drive-uri (SSD).


Memoria flash NAND stocheaza datele si alte informatii media continute de produsele electronice, retinand informatia chiar si atunci cand alimentarea cu energie este intrerupta. Evolutia catre procese NAND la scara tot mai mica permite in continuare dezvoltarea si introducerea de noi utilizari pentru tehnologie. Procesul pe 25 nm nu reprezinta doar tehnologia NAND la scara cea mai mica existenta, ci si tehnologia de semiconductori la cea mai mica scara din lume – o realizare tehnologica extraordinara, care va permite stocarea mai multor fisiere cu muzica, clipuri video si alte date de catre produsele electronice de larg consum si aplicatiile de computing existente in prezent.

Produs de IM Flash Technologies (IMFT), acord contractual (joint venture) intre Intel si Micron, procesul pe 25nm permite obtinerea unei capacitati de stocare de 8 GB intr-un singur dispozitiv NAND, creand astfel o solutie de stocare cu capacitate inalta pentru gadget-urile existente in prezent, cu dimensiuni foarte mici. Are numai 167mm2 – fiind suficient de mic ca sa intre prin spatiul gol din mijlocul unui compact disc (CD) si totusi are o capacitate de stocare de date de 10 ori mai mare decat a unui CD (un CD standard poate contine 700 MB de date).

Concentrandu-si eforturile si investitiile in domeniul cercetarii si dezvoltarii NAND, Intel si Micron au dublat densitatea NAND aproximativ o data la fiecare 18 luni, reusind astfel sa realizeze produse mai mici, mai eficiente din punct de vedere al costurilor si cu capacitate mai mare de stocare. Intel si Micron au creat IMFT in 2006 primul proces tehnologic dezvoltat fiind cel de 50nm, continuand cu 34nm in 2008. Tehnologia pe 25nm lansata astazi le permite celor doua companii sa isi extinda pozitia de lider in domeniul tehnologiilor si fabricatiei, introducand cea mai mica litografie de semiconductor disponibila la ora actuala in industrie.

Dispozitivul pe 25nm, de 8GB, este distribuit acum sub forma de mostre (sampling), estimandu-se ca va intra in productia de serie in al doilea trimestru al lui 2010. Pentru producatorii de electronice de larg consum, dispozitivul ofera cea mai mare densitate intr-o matrita cu tehnologie multi-level cell (MLC) 2 bits-per-cell, care se potriveste unui standard al industriei, o capsula de tip TSOP (thin small-outline package). Mai multe dispozitive de 8GB pot fi utilizate impreuna, intr-un pachet, pentru a creste capacitatea de stocare. Noul dispozitiv de 8 GB, pe 25nm, reduce numarul de chip-uri cu 50% fata de generatiile anterioare, permitand obtinerea unor design-uri mai mici, dar cu densitate mai mare si mai eficiente in ceea ce priveste costurile. De exemplu, un solid-state drive (SSD) de 256GB poate fi acum dotat cu doar 32 de asemenea dispozitive (fata de 64, cate erau  necesare anterior); un smartphone de 32GB are nevoie doar de patru, iar un flash card de 16GB are nevoie doar de doua.

Recomanda   afisari

spacer
spacer
Articole similare
spacer
Opiniile cititorilor
spacer

Recomanda pe Google